本特許は、結晶の表面および内部で生じる変化を秒単位で解析できる新しい測定技術に関するものです。従来、結晶の構造変化を調べる場合、表面の情報は反射高速電子線回折（RHEED）で、内部の情報はX線散乱で取得していましたが、それぞれの測定を独立して行うため、時間的なずれが発生し、正確な解析が困難でした。本発明では、X線結晶トランケーションロッド散乱測定装置による経時的測定データ（第1のデータ）と、RHEEDによる経時的測定データ（第2のデータ）を並行して取得します。そして、第2の測定データを基準に第1のデータを時間補正することで、表面と内部の変化を同期的に解析可能にしました。この方法により、結晶成長過程や相転移などのダイナミックな現象をリアルタイムで高精度に把握できます。半導体製造、材料科学、触媒研究など幅広い分野で応用が期待され、研究効率や新材料開発スピードの飛躍的向上に寄与する技術です。

つまりは、表面だけでなく内部の結晶変化も同時に秒単位で測定可能。材料研究や半導体開発に革新をもたらします。