国立研究開発法人物質・材料研究機構
赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置
国立研究開発法人物質・材料研究機構
赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置
本発明は、積層構造（第1電極／第1半導体／緩衝層／第2半導体／第2電極）を備える赤外線検出素子に関する。広いバンドギャップの第1半導体と、InX（V族元素を含む）を主成分とする第2半導体の間に、格子定数を“99～101％の範囲”に調整した緩衝層を設けることで、両者の格子不整合の少なくとも8割を緩和。これにより結晶欠陥に起因する暗電流を抑えつつ、検出感度を高める。第1・第2半導体の伝導型を揃える設計により、接合特性の最適化と製造の安定性を両立し、安価・高感度なIR検出を実現する。応用として、赤外線撮像装置や環境センシング等への展開が想定される。
つまりは、第1/第2半導体の間に「緩衝層」を挿入し、格子不整合の8割以上を吸収。暗電流を低減しつつ感度を向上。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 | ASK 実証実験 | ASK サンプル・プロトタイプ | ASK
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2021-191169 |
| 発明の名称 | 赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2023-077758 |
| 登録番号 | 特許第7719496号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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