国立研究開発法人科学技術振興機構
進化する電子デバイスへの道！ナノギャップ電極構造の新技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
進化する電子デバイスへの道！ナノギャップ電極構造の新技術
本発明は、電子デバイスの微細化と高性能化を実現する電極構造の作製方法、メッキ液、及びナノデバイスに関する特許です。具体的には、ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法で、電子線リソグラフィー法又はフォトリソグラフィー法を用いて金属層の対を形成します。また、メッキ液は金属イオンを含む電解液と、金属イオンを選元する本元剤と、界面活性剤を含み、金属層同士のギャップを制御します。この技術により、高度なナノデバイスの作製が可能となり、さらなる電子デバイスの高性能化と微細化が期待できます。
つまりは、高度なナノデバイスの製造を可能にする、ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法とメッキ液の特許技術。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造マイクロエレクトロニクス
- 高性能電子デバイスの製造
- ナノデバイスの研究開発
- メッキ工程の最適化
本特許の技術は、電子デバイスの微細化と高性能化に貢献します。具体的には、ナノギャップを有する電極構造の作製方法を利用し、高度な電子デバイスの製造を可能にします。これにより、既存の電子デバイスの性能を大幅に向上させることが可能となります。
本特許技術は、ナノデバイスの研究開発にも活用可能です。特に、単電子エレクトロニクスや分子ナノエレクトロニクスなどの新たな分野での研究に対して、本技術は新たな視点を提供します。これにより、これまでにない新しいタイプのナノデバイスの開発が期待できます。
本特許のメッキ液に関する技術は、メッキ工程の最適化に寄与します。金属イオンを選元する本元剤や、界面活性剤を含むこのメッキ液は、金属層同士のギャップを制御する能力を有しています。これにより、メッキ工程の精度を向上させ、製品の品質を向上させることが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-503464 |
| 発明の名称 | ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2012/121067 |
| 登録番号 | 特許第0005942297号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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