国立大学法人山口大学
パワーと耐久性を兼ね備えたn型アモルファスシリコンカーバイド半導体素子
国立大学法人山口大学
パワーと耐久性を兼ね備えたn型アモルファスシリコンカーバイド半導体素子
本特許は、テトラブチルシランやテトラエトキシシランなどのシラン化合物と、ヘキサメチルジシラザンやヘキサエチルジシラザンなどのシラザン化合物を組み合わせ、n型半導体素子を製造する方法について述べています。また、窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドからなるn型半導体とその製造方法についても記載しています。この方法は、従来のシリコン半導体素子に比べて絶縁破壊電圧が一桁以上大きく、耐熱性、耐薬品性にも優れています。また、窒素ガスをシリコンカーバイド中に拡散させることで、n型半導体を形成します。これにより、高性能な半導体素子の開発が期待されます。
つまりは、窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドを用いたn型半導体素子とその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業エネルギー業界電子機器製造業
- 高性能な太陽光発電システムの開発
- 高周波素子の製造
- 低温での半導体膜の形成
この特許の技術を活用することで、高性能な太陽光発電システムの開発が可能になります。耐熱性や耐薬品性に優れたn型アモルファスシリコンカーバイド半導体素子を使用することで、より効率的なエネルギー変換が可能になります。
この特許の技術を活用し、高周波素子を製造することが可能です。n型アモルファスシリコンカーバイド半導体素子は、高周波素子や面放射線性の半導体として使用することができます。これにより、より高性能な電子機器の開発が期待されます。
本特許の技術を用いると、低温でも半導体膜の形成が可能です。これは、透明なガラス基板上への半導体膜の形成を容易にし、光電発電等の目的に役立ちます。また、この技術は、半導体製造プロセスのコストと時間を大幅に削減する可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-541636 |
| 発明の名称 | 窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるｎ型半導体及びｎ型半導体素子の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | WO2013/065315 |
| 登録番号 | 特許第0006083676号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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