国立大学法人山口大学
極性面のGaN層とInGaN層を持つ半導体発光素子
国立大学法人山口大学
極性面のGaN層とInGaN層を持つ半導体発光素子
本発明は、主面が非極性面又は半極性面のGaN層と、その上にエピタキシャル成長して形成されたInGaN層を有する半導体発光素子に関する。InGaN層は、GaN層との間の格子不整合による歪みが完全に又は部分的に緩和している。その上には、InGaNで形成された多重量子井戸層が設けられている。この発明により、サファイア基板と多重量子井戸層との熱膨張係数の差異により発生する歪みによる応力を歪み緩和層により緩和することが可能となる。
つまりは、格子不整合による歪みが完全に又は部分的に緩和している半導体発光素子
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業光通信業電子部品製造業
- 高性能LEDの製造
- 高効率なレーザダイオードの開発
- 次世代照明装置の製造
本発明の半導体発光素子は、格子不整合による歪みが緩和されているため、高効率、高出力のLEDの製造に活用することができる。これにより、消費電力を抑えつつ、強い光を得ることが可能となる。
本発明の半導体発光素子は、格子不整合による歪みが緩和されているため、これを利用したレーザダイオードは高い出力を持つことが可能となる。これにより、光通信や医療機器などにおけるレーザダイオードの性能向上が期待できる。
本発明の半導体発光素子を利用することで、高輝度かつ効率的な発光を実現する照明装置の製造が可能となる。これにより、エネルギー消費を抑えつつ、明るく広範囲を照らすことができる照明装置の開発が可能となる。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-502031 |
| 発明の名称 | 半導体発光素子 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | WO2013/128894 |
| 登録番号 | 特許第0006019541号 |
- サブスク
- 譲渡
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