国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な有機薄膜電子デバイスの開発へ
国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な有機薄膜電子デバイスの開発へ
本特許は、ヤヌス型トリプチセン計導体を含む有機薄膜を絶縁層の上に形成した電子デバイスの製造に関するものです。この有機薄膜は、高い電子輸送性を持つとともに、炭化水素基の中の1つ又は2つ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、または-NR 5-で置換されていてもよいという特性を持っています。これにより、トランジスタ、コンデンサ、ダイオード、サイリスタ、電気発光素子、センサー、またはメモリなどの各種電子デバイスに対して、高い性能と耐久性を提供します。さらに、この電子デバイスは、薄膜トランジスタ、半導体からなるチャネル層、ソース電極、ドレイン電極などの要素を組み合わせることが可能で、用途に応じて最適な設計が可能です。
つまりは、高性能な有機薄膜を含む電子デバイスの特許技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子工学半導体工学材料科学
- 次世代の電子デバイス開発
- 省エネルギーの電子デバイスの開発
- 耐久性と信頼性の向上
高い電子輸送性を持つ有機薄膜を用いることで、電子デバイスの性能向上と耐久性の向上を図ることができます。これにより、次世代の電子デバイス開発に大きな貢献をすることが可能です。
本特許の技術を活用することで、エネルギー消費を抑えながら高性能な電子デバイスを開発することが可能です。これは、省エネルギーと高性能を両立した電子デバイスの需要が高まる現代社会において、大きな価値を持つでしょう。
本特許の技術は、電子デバイスの耐久性と信頼性を向上させる可能性があります。これは、長期間にわたり安定した性能を発揮する電子デバイスの需要が高まる現代社会において、大きな価値を持つでしょう。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-561596 |
| 発明の名称 | 有機薄膜を用いた電子デバイス、及びそれを含有してなる電子機器 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2014/125527 |
| 登録番号 | 特許第0006272242号 |
- サブスク
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- ライセンス
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