国立研究開発法人科学技術振興機構
高度なスイッチングとメモリ機能を備えた電子素子
国立研究開発法人科学技術振興機構
高度なスイッチングとメモリ機能を備えた電子素子
本特許は、ナノギャップを有する一方の電極と他方の電極を備え、ハログンイオンが一方の電極上で他方の電極に対向するように設けられています。ここで、一方の電極に設けられたハログンイオンの数が他方の電極に設けられたハログンイオンの数と異なるという特徴があります。電極間の電圧を正から負、または負から正に連続的に変化させると、電極間に流れる電流波形が非対称となる点が注目されます。この特性により、金属ナノ粒子を用いずにスイッチングやメモリ機能を備えた電子素子を実現できます。これにより、製造工程が複雑化する問題を解決し、効率的な製造が可能となります。
つまりは、金属ナノ粒子を用いずに、スイッチングやメモリとして機能する電子素子を提供する特許です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子工業半導体産業コンピュータハードウェア
- 電子デバイスの高性能化
- メモリ製品の開発
- センサー技術の進歩
本特許技術を活用することで、電子デバイスのスイッチング速度やメモリ性能の向上が期待できます。これにより、コンピュータの処理速度向上や省エネルギー化を図ることが可能となります。
金属ナノ粒子を使用せずにメモリ機能を実現する本特許技術は、新たなメモリ製品の開発を推進します。製造工程が簡略化されるため、生産コストの削減も期待できます。
電子素子のスイッチングやメモリ機能が高度化すると、これを応用したセンサー技術の進歩が期待できます。例えば、より高精度な環境センサーや医療センサーの開発に貢献する可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-505449 |
| 発明の名称 | 電子素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2014/142040 |
| 登録番号 | 特許第0006225347号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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