国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な半導体素子：InGaAIN系窒化物半導体層を活用
国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な半導体素子：InGaAIN系窒化物半導体層を活用
本特許は、高い電子移動度や飽和電子速度を示すInGaAIN系窒化物半導体を活用した半導体素子の開発に関して述べています。特に、非単結晶基板でも良好な半導体特性を発揮できるInGaAIN系窒化物半導体層を用いた半導体素子の開発に成功しています。これにより、従来のトランジスタよりも高い周波数に応答する高速電子素子用材料として利用可能です。また、この半導体素子は、窒化物半導体層をチャネルとする電界効果トランジスタであり、オンオフ比が10以上であるという優れた特性を示します。これは、高精度な電流制御を可能にし、電子デバイスの性能を大幅に向上させることが可能です。
つまりは、高周波数に対応する半導体素子の開発に成功、非単結晶基板でも優れた特性を実現
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子デバイス製造業通信業コンピュータ産業
- 高速電子デバイスの開発
- 低コスト化の実現
- 高耐久性電子デバイスの開発
この半導体素子は、高い電子移動度と飽和電子速度を持つため、高速電子デバイスの開発に活用できます。高周波数に対応する能力は、例えば次世代の通信装置やコンピュータに必要な特性であり、本特許技術の活用はこれらのデバイスの性能向上に寄与します。
この半導体素子は非単結晶基板でも優れた性能を発揮するため、単結晶基板を使用する従来の半導体素子に比べて製造コストを大幅に削減することが可能です。これにより、高性能ながら低コストの電子デバイスの製造が可能となります。
本特許に記載された半導体素子は、窒化物半導体層をチャネルとする電界効果トランジスタであり、オンオフ比が10以上という優れた特性を持っています。これにより、高精度な電流制御が可能となり、高耐久性の電子デバイスの開発に対する有力な選択肢となり得ます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-533999 |
| 発明の名称 | ＩｎＧａＡｌＮ系半導体素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2015/029435 |
| 登録番号 | 特許第0006212124号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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