国立研究開発法人科学技術振興機構
高精度なデバイスを実現するナノギャップ電極技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
高精度なデバイスを実現するナノギャップ電極技術
本特許は、ナノメートルオーダーの一定の範囲のギャップを保ちながら向き合う一定の面積の対向面を有する電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイスに関するものである。電極対は、一方の電極と他方の電極がナノギャップを有して向かい合うように同一面上に設けられ、これらの向かい合う部分が、互いに近づくにつれて前記面から遠ざかるように湾曲している。また、作製方法では、初期ギャップを有するように間隔をあけて電極の対が形成された基板をサンプルとして準備し、無電解メッキ液に浸漬する際、一定時間経過すると前記無電解メッキ液を交換することにより、ナノギャップを有する電極対を作製する。
つまりは、ナノギャップを有する電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイスに関する特許。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体電子部品ナノテクノロジー
- 高精度なデバイスの開発
- メモリデバイスの効率化
- 電子部品の小型化
本特許は、ナノギャップを有する電極対の精度を向上させることで、スイッチング機能やメモリ機能を有する高精度なデバイスの開発に活用することができます。
ナノギャップ電極を用いたデバイスは、メモリ機能を有するため、メモリデバイスの効率化に貢献します。本特許の技術を活用することで、より高性能なメモリデバイスの開発が可能となります。
ナノギャップを有する電極対を用いることで、電子部品の小型化が可能となります。特に、半導体デバイスやナノテクノロジー関連の製品において、本特許の技術を活用することで、製品の性能向上とともに、小型化を実現することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-535332 |
| 発明の名称 | 電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイス |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2015/033600 |
| 登録番号 | 特許第0006283963号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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