国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的なトンネル電界効果トランジスタの製造方法
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的なトンネル電界効果トランジスタの製造方法
この特許は、トンネル電界効果トランジスタによる集積回路の製造方法を明細します。主な特長は、P型領域とN型領域の形成と、それらの間に金属半導体合金膜を形成するプロセスです。これにより、トンネル電界効果トランジスタの性能を向上させ、低電圧での動作や消費電力の軽減を可能にします。特に、ゲート電極の配置や活性領域の設計について詳細に説明されており、これにより面積の削減やコスト削減、高性能化が図られます。この製造方法は、半導体技術の進歩に伴い、さまざまな電子デバイスの性能向上に寄与することが期待されます。
つまりは、本特許は、トンネル電界効果トランジスタによる集積回路の製造方法について記述しています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業電子機器製造業
- 低電圧での動作を可能にする新型トランジスタの開発
- 高性能な半導体デバイスの製造
- コスト削減と面積削減を可能にする半導体製造プロセスの開発
本特許の製造方法を用いて、低電圧で動作するトンネル電界効果トランジスタを開発することが可能です。これにより、消費電力を大幅に削減した電子デバイスの製造が可能となります。
本特許の製造方法を活用して、高性能な半導体デバイスを製造することができます。特に、金属半導体合金膜の形成により、デバイスの性能を向上させることが可能です。
本特許の製造方法は、活性領域の設計やゲート電極の配置により、半導体デバイスの面積を削減することが可能です。これにより、製造コストを削減し、よりコンパクトな電子デバイスの製造が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-507421 |
| 発明の名称 | トンネル電界効果トランジスタによる集積回路及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2015/137081 |
| 登録番号 | 特許第0006300214号 |
- サブスク
- 譲渡
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