国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体材料:有機無機層状ベロブスカイト下化合物
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体材料:有機無機層状ベロブスカイト下化合物
本発明は、有機無機層状ベロブスカイト下化合物及びその製造方法に関するもので、シルセスキオキサン化合物を有機層として取り込んだ有機無機層状ベロブスカイト型化合物の製造方法を提供します。この特許は、半導体材料、光学材料、磁性材料などの分野で注目されている有機無機層状ペロブスカイト型化合物の製造を更に進化させる可能性を秘めています。有機無機層状ベロブスカイト型化合物は、無機化合物と有機化合物が交互に存在する材料で、一般的にはメチルアミン、エチルアミン、フェニルエチルアミン等のアミン化合物やジアミン化合物、アミノ基を1つ乃至複数個有するフラーレン、チオフェン等が用いられます。本発明では、これにシルセスキオキサン化合物を取り入れることで、化合物の特性を大幅に改良することが可能となります。
つまりは、有機無機層状ベロブスカイト型化合物の製造方法を提供する特許技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業光学材料産業磁性材料産業
- 高性能半導体の開発
- 光学材料の品質向上
- 磁性材料の開発
本発明の技術を活用し、有機無機層状ベロブスカイト型化合物を含む高性能な半導体を開発することができます。これにより、コンピューターやモバイルデバイスなどの電子機器の性能向上が期待されます。
本発明の技術を用いることで、光学材料の品質を向上させることが可能となります。具体的には、レンズやカメラの性能向上に貢献できると考えられます。
本発明により、磁性材料の開発に新たな可能性が開かれます。特に、高性能な磁性デバイスの製造に対する影響が大きいと考えられます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-540142 |
| 発明の名称 | 有機無機層状ペロブスカイト型化合物及び有機無機層状ペロブスカイト型化合物の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2016/021402 |
| 登録番号 | 特許第0006270183号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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