国立研究開発法人産業技術総合研究所
ノンコリニア磁気抵抗素子の革新的な改良
国立研究開発法人産業技術総合研究所
ノンコリニア磁気抵抗素子の革新的な改良
本特許は、磁気抵抗素子の改良に関するもので、特にノンコリニア磁気抵抗素子の効率と性能を向上させることを目指しています。ノンコリニア磁気抵抗素子は、磁化配置が非直線的であることから、データの書き込みと読み出しの速度が向上します。しかし、これまではその製造方法が難しく、特殊な斜め蒸着法を必要としていました。本特許では、その問題を解決するための新たな設計が提案されています。特に、Coを含む薄膜とPt若しくはPdを含む薄膜との交互多層膜、CoとPt若しくはPdを含む超格子膜、hcp構造を有するCoを含む合金膜などの新素材の活用が提案され、これにより製造が容易で性能も優れた磁気抵抗素子を実現します。データ処理の効率化と高速化を実現する本特許は、メモリデバイスの発展に寄与します。
つまりは、磁気抵抗素子の書込み時間を短縮し、効率的なデータ処理を実現する特許技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業コンピュータハードウェアデータストレージ
- 高速メモリデバイスの製造
- 高性能な半導体の開発
- 磁気記録メディアの改良
本特許の技術を活用することで、書き込み時間が短く、高速なデータ処理が可能なメモリデバイスを製造することができます。これにより、効率的なデータストレージと処理が可能になり、コンピュータの性能向上に寄与します。
本特許の技術は、半導体の研究開発にも活用可能です。特に、磁気抵抗素子の性能向上は、半導体の性能全体を向上させる可能性があります。これにより、より高性能な半導体製品の開発が可能となります。
本特許の技術を活用して、磁気記録メディアの性能を向上させることが可能です。本特許の技術を活用すれば、大容量データの高速な書き込みと読み出しが可能となり、データセンターやクラウドストレージなどの領域での応用が期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-519402 |
| 発明の名称 | ノンコリニア磁気抵抗素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2016/186178 |
| 登録番号 | 特許第0006528090号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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