国立研究開発法人産業技術総合研究所
新世代の透明半導体の開発
国立研究開発法人産業技術総合研究所
新世代の透明半導体の開発
本特許では、透明なp型半導体の開発について述べられています。現在、Cu2OやNiOなどのp型半導体が知られていますが、これらは可視光領域に光吸収があり、透明ではありません。また、透明なp型導電体の研究開発が進んでいますが、これらの新しい導電体も、いくつかの問題点が存在しています。例えば、デラフォサイト構造をもつ化合物は正孔の移動度が低く、酸化亜鉛はn型半導体であるため、p型半導体特性を発現するためには構造欠陥を導入する必要があります。しかし、これらの問題を克服し、透明でp型の半導体を開発することで、透明なダイオードやトランジスタ、太陽電池などの電子デバイスの新たな可能性が切り開かれます。
つまりは、透明でp型の半導体を開発し、電子デバイスの新たな可能性を切り開く。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業研究開発業
- 透明な電子デバイスの開発
- 高効率な太陽電池の開発
- 新素材の研究開発
本特許の技術を用いて、透明な半導体を活用した電子デバイスを開発することが可能です。透明なダイオードやトランジスタ、太陽電池などの開発により、新たな電子デバイスの可能性が広がります。
透明なp型半導体を活用することで、光をより効率的に吸収する太陽電池の開発が可能となります。これにより、現存する太陽電池よりも高効率な太陽電池の開発が進み、再生可能エネルギーの更なる普及に貢献できます。
本特許の技術は新たな半導体素材の研究開発にも応用可能です。透明性とp型という特性を持つ半導体は、従来の半導体とは異なる特性を持つため、新たな素材の開発に繋がります。これにより、電子デバイスの性能向上や新たな機能の開発が期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-546510 |
| 発明の名称 | 酸化物半導体 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2017/069022 |
| 登録番号 | 特許第0006562321号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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