国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的なニューロン回路とスイッチ回路の技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的なニューロン回路とスイッチ回路の技術
本特許は、抵抗状態の変化を利用したニューロン回路とスイッチ回路に関するものです。具体的には、抵抗体が所定温度以上で金属相となり、所定温度以下で絶縁相となるという特性を活用し、内部状態量に応じて高抵抗状態と低抵抗状態を自在に切り替えることが可能です。また、入力信号の変動周期が緩和時間より短いスイッチ回路も提案されています。さらに、この技術は酸化バナジウムを使用したニューロン回路にも適用可能です。これにより、電子機器や情報通信機器などの高速化・高性能化を実現することが可能となります。
つまりは、高抵抗と低抵抗を自在に切り替えるニューロン回路とスイッチ回路の開発
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器情報通信デバイス製造
- 高速化・高性能化の実現
- 高精度なセンサーの開発
- AIや機械学習の高度化
この技術を利用することで、電子機器や情報通信機器などの高速化・高性能化を実現することが可能となります。抵抗状態の高速な切り替えが可能なため、デバイスの応答速度の向上や省エネルギー化に貢献します。
抵抗状態を精密に制御することが可能なこの技術は、高精度なセンサーの開発にも利用できます。例えば、環境の微妙な変化を検知するセンサーなど、高度な感度が求められる用途に適しています。
抵抗状態の切り替えを利用したニューロン回路は、AIや機械学習の高度化に貢献します。特に、ニューラルネットワークの実装において、高速で精度の高い演算が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-553650 |
| 発明の名称 | ニューロン回路、システムおよびスイッチ回路 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2018/100790 |
| 登録番号 | 特許第0006765686号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です