国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な磁場形成手法を利用したマグネトロンスパッタリング装置
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な磁場形成手法を利用したマグネトロンスパッタリング装置
本特許は、マグネトロンスパッタリング装置とその磁場形成装置に関するもので、スパッタリングターゲットの中央部および外縁部に異なる極性の磁極を持つ内環状磁石と、ループ状磁束を調整する外環状磁石とを具備しています。これにより、スパッタリング現象を利用した成膜法における成膜速度の高速化を実現します。さらに、内環状磁石は開口部の厚さと周縁部における厚さが異なる構造を持ち、外環状磁石は上面と下面の径方向の厚さが異なる構造を持つなど、磁場強度の調整が可能です。これにより、高精度な磁場制御と効率的なスパッタリングプロセスが可能になります。
つまりは、高度な磁場制御を可能にする新しいスパッタリング装置の特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業ナノテクノロジー表面処理業
- 高精度成膜の実現
- 生産効率の向上
- 素材開発への応用
本特許の技術を活用することで、微細な磁場制御を行うことが可能となります。これにより、スパッタリングによる成膜の精度を向上させ、高品質な半導体製品の製造を可能にすることができます。
ループ状磁束を調整する外環状磁石と異なる極性の磁極を持つ内環状磁石により、スパッタリング現象を効率的に利用し、成膜速度を上げることができます。これにより、生産効率を向上させることが可能です。
本特許の技術を活用し、新しい素材の開発に取り組むことが可能です。特に、異なる極性の磁極を持つ内環状磁石とループ状磁束を調整する外環状磁石による磁場制御は、新たな物性を発現する素材の開発に役立つ可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-554267 |
| 発明の名称 | マグネトロンスパッタリング装置、及び、磁場形成装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2018/101444 |
| 登録番号 | 特許第0006938037号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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