国立研究開発法人産業技術総合研究所
透明性とp型半導体特性を両立した新世代の酸化物半導体
国立研究開発法人産業技術総合研究所
透明性とp型半導体特性を両立した新世代の酸化物半導体
本特許は、Snを含む複合酸化物により構成される酸化物半導体及び半導体装置について説明しています。これまでに、透明半導体材料は可視光領域で高い透明性を持ち、高い電気伝導性を示すことが知られていますが、これらは全て電子が荷電担体となるn型半導体でした。本発明の酸化物半導体は、これらの問題を克服し、透明性とp型半導体特性を両立することを可能にします。これにより、pn接合を形成することで、可視光領域で透明なダイオードやトランジスタ、太陽電池などを作製することが可能となります。また、酸素を含む大気中で酸化反応に強い酸化物半導体として期待されており、フォーダイト酸化物の結晶構造を利用しています。
つまりは、酸化物半導体と半導体装置の領域における、Snを含む複合酸化物により構成され、p型半導体特性を実現可能とする革新的な技術です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造太陽電池製造
- 高性能な透明電極の開発
- 革新的な太陽電池の開発
- 未来の電子デバイス開発に向けた基礎研究
本技術を活用することで、透明性とp型半導体特性を両立した酸化物半導体を開発することが可能となります。これにより、高性能な透明電極が開発可能となり、さまざまな電子機器に応用できます。
透明性とp型半導体特性を兼ね備えた酸化物半導体は、太陽電池の開発においても大きな可能性を秘めています。特に、可視光領域での透明性が確保できれば、太陽電池の性能向上や、新たなデザインの提案が可能となります。
本特許の技術は、未来の電子デバイス開発に向けた基礎研究としても非常に有用です。特に、p型半導体特性を有する酸化物半導体の研究開発は、次世代の電子デバイスの設計や機能改善に重要な役割を果たすことが期待されます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-501124 |
| 発明の名称 | 酸化物半導体及び半導体装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2018/155034 |
| 登録番号 | 特許第0006933400号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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