革新的なシリコンナノ粒子の製造法
学校法人東京電機大学
この技術でできること
本特許では、シリコン粒子を加熱し、その内部にn型不純物を拡散させる工程を特徴とするp型またはn型不純物を含むシリコンナノ粒子の製造方法を提供します。具体的には、シリコン粉末を水系溶媒に投入し、外力を加えて事前に微分散させる前分散工程を含みます。また、不純物がp型の場合はホウ素を、n型の場合はリンを使用します。さらに酸化剤として硝酸を使用し、水系溶媒として水とアルコールの混合溶媒を使用します。この製造方法を利用して得られたシリコンナノ粒子は、太陽電池素子の活性層に含まれる量子ドットとして、または半導体デバイスの活性層の一部として使用することが可能です。
p型またはn型不純物を含むシリコンナノ粒子の製造方法、及びそれを活用した太陽電池素子や半導体デバイスの製造法の特許
相談したいこと
技術の特徴
AIによる特許活用案
高効率太陽電池の製造
本特許で示される製造方法を用いて、高効率のシリコンナノ粒子を製造します。これを量子ドットとして太陽電池素子の活性層に含むことで、変換効率の高い太陽電池を開発することが可能です。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2019-501392
- 発明の名称
- ｐ型又はｎ型不純物含有シリコンナノ粒子の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
- 出願人／権利者
- 学校法人東京電機大学
- 公開番号
- WO2018/155519
- 登録番号
- 特許第7151974号