学校法人東京電機大学
革新的なシリコンナノ粒子の製造法
学校法人東京電機大学
革新的なシリコンナノ粒子の製造法
本特許では、シリコン粒子を加熱し、その内部にn型不純物を拡散させる工程を特徴とするp型またはn型不純物を含むシリコンナノ粒子の製造方法を提供します。具体的には、シリコン粉末を水系溶媒に投入し、外力を加えて事前に微分散させる前分散工程を含みます。また、不純物がp型の場合はホウ素を、n型の場合はリンを使用します。さらに酸化剤として硝酸を使用し、水系溶媒として水とアルコールの混合溶媒を使用します。この製造方法を利用して得られたシリコンナノ粒子は、太陽電池素子の活性層に含まれる量子ドットとして、または半導体デバイスの活性層の一部として使用することが可能です。
つまりは、p型またはn型不純物を含むシリコンナノ粒子の製造方法、及びそれを活用した太陽電池素子や半導体デバイスの製造法の特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 太陽電池製造業半導体製造業ナノテクノロジー
- 高効率太陽電池の製造
- 高性能半導体デバイスの開発
- ナノテクノロジーの応用研究
本特許で示される製造方法を用いて、高効率のシリコンナノ粒子を製造します。これを量子ドットとして太陽電池素子の活性層に含むことで、変換効率の高い太陽電池を開発することが可能です。
本特許のシリコンナノ粒子製造方法は、半導体デバイスの活性層の一部としても利用可能です。これにより、性能の高い半導体デバイスを開発することができます。
本特許で提供されるシリコンナノ粒子製造方法は、ナノテクノロジー研究の一環としても利用できます。量子ドットの特性を持つシリコンナノ粒子は、その粒子径に応じてバンドギャップの大きさを制御することができるため、応用研究の幅を広げることが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-501392 |
| 発明の名称 | ｐ型又はｎ型不純物含有シリコンナノ粒子の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 学校法人東京電機大学 |
| 公開番号 | WO2018/155519 |
| 登録番号 | 特許第0007151974号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です