国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能スピントロニクスデバイスの製造技術を革新する特許
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能スピントロニクスデバイスの製造技術を革新する特許
本特許は、強磁性トンネル接合体とその製造方法に関するものです。強磁性トンネル接合体は、強磁性層と絶縁体層からなる三層構造を持ち、その相対磁化角度に対してバリア層を介したトンネル抵抗値が変化するトンネル磁気抵抗効果を示します。この特許では、強磁性トンネル接合体の製造工程が詳細に説明されており、その製造方法により、高い磁気抵抗変化比を持つ接合体を容易に製造することが可能となります。また、製造方法は基板上に広範囲に適用可能であり、さまざまなデバイスの製造に活用できます。
つまりは、高い磁気抵抗効果を持ち、製造が容易な強磁性トンネル接合体とその製造方法についての特許です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子デバイス製造業半導体産業データストレージ業界
- 高性能磁気ヘッドの開発
- 高感度磁気センサーの製造
- 不揮発性ランダムアクセスメモリの開発
この特許の製造方法を応用することで、高い磁気抵抗変化比を持つ強磁性トンネル接合体を利用した高性能な磁気ヘッドを開発することが可能になります。これにより、ハードディスク装置の性能向上が期待できます。
この特許の強磁性トンネル接合体は、高感度の磁気センサーとしても利用可能です。製造が容易であるため、大量生産にも対応可能で、幅広い分野における磁気センシングの需要を満たすことができます。
この特許に記載されている強磁性トンネル接合体は、情報記録セルとして用いることができます。これを基に、高性能な不揮発性ランダムアクセスメモリ(MRAM)の開発が可能となり、データ保持性と低消費電力を両立したメモリの実現に寄与します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-525389 |
| 発明の名称 | 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | WO2018/230466 |
| 登録番号 | 特許第0006857421号 |
- サブスク
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