国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的なヘテロエピタキシャル構造を持つ金属積層体とその製造方法
国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的なヘテロエピタキシャル構造を持つ金属積層体とその製造方法
本特許は、特定の金属部を覆う他の金属部を有し、特異なヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体とその製造方法に関する。具体的には、第一金属部の表面に複数個が離散的に配置された第二金属部と、第二金属部を覆う第三金属部を有する。第二金属部は、第一金属部の表面に単位面積当たり50個以上、200個以下の密度で分散されている。また、第一金属部の表面積に対し、第二金属部が第一金属部と接する合計面積の割合は、0.1以上0.8以下である。これらの積層構造は、特定の工程を経て製造され、強固で効率的な電導性を持つことが特徴です。
つまりは、強固で効率的な電導性を持つ、独特な金属積層体の製造方法。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子工学材料科学半導体製造
- 高性能電子デバイスの製造
- 高耐久性電極の開発
- 高精度センサーの製造
本特許のヘテロエピタキシャル構造を持つ金属積層体は、電子デバイスの製造において有用です。その特異な構造は、高密度で強固な電導性を持つ材料を提供し、電子デバイスの性能を向上させることが可能です。
本特許は、高密度で耐久性のある電極の開発にも活用できます。特に、エネルギー貯蔵装置や電池などの電極材料として、本特許の金属積層体を使用することで、長寿命で高効率の製品を製造することが可能です。
また、本特許のヘテロエピタキシャル構造を持つ金属積層体は、高精度なセンサーの製造にも利用できます。その高密度で強固な電導性は、微細な電流の検出に適しており、精密な測定が求められる領域での使用に適しています。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2020-550206 |
| 発明の名称 | ヘテロエピタキシャル構造体及びその作製方法、並びにヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体及びその作製方法、ナノギャップ電極及びナノギャップ電極の作製方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2020/071025 |
| 登録番号 | 特許第0007029200号 |
- サブスク
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