国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度な金属配線を形成するための特許技術
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度な金属配線を形成するための特許技術
この特許では、特定の波長範囲の真空紫外線を用いて、真空紫外線を照射するステップを含む複数の工程を経て、基板上に金属配線を形成する方法を提供します。また、塗布法としてスピンコート法、スプレー塗布法、ディップコート法などを用いることが可能で、金属インクや高分子溶液の濃度も特定の範囲内で設定されます。この方法は、高精度な金属配線の形成を可能とし、電子デバイスや半導体デバイスの製造に有用です。
つまりは、本特許は、基板上に金属配線を形成するための方法を詳細に説明しています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業ナノテクノロジー
- 高精度な半導体デバイスの製造
- ナノスケールの電子デバイスの開発
- 高度なプリント基板の製造
この特許の技術は、半導体デバイスの製造プロセスに活用できます。特に、高精度な金属配線が必要なマイクロプロセッサやメモリチップの製造において、この方法を用いることで製品の品質と信頼性を向上させることが可能です。
この特許の技術は、ナノスケールの電子デバイスの開発にも適用可能です。特定の波長の真空紫外線を用いた精密な金属配線形成技術は、ナノスケールでの配線作成に有効で、次世代の電子デバイスの開発を支えます。
この特許の技術は、複雑な回路を有するプリント基板の製造にも利用できます。特に、高精度な金属配線が求められる高周波回路やデジタル回路の製造において、この方法を用いることで高品質なプリント基板を製造することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2021-501926 |
| 発明の名称 | 金属配線を形成する方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | WO2020/175170 |
| 登録番号 | 特許第0007117047号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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