日本放送協会
高性能な積層型半導体装置
日本放送協会
高性能な積層型半導体装置
本特許は、MOSトランジスタを用いた積層型半導体装置とその製造方法に関するものです。特に、第1の半導体素子がPチャネルMOSトランジスタであり、第2の半導体素子がNチャネルMOSトランジスタである積層型半導体装置について述べています。この装置では、NチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタのドレイン同士が接続されたCMOSを特徴とします。製造方法についても詳述されており、特に第1と第2のゲート同士を含めて前記第1の表面と前記第2の表面を直接接合により接合する工程が含まれています。これにより、効率的かつ安定した半導体装置の製造が可能となります。
つまりは、高効率・高性能の半導体素子を利用した積層型半導体装置とその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業テクノロジー開発
- 高性能積層型半導体の製造
- 電子部品の小型化と高性能化
- 電子機器のバッテリー持続時間の延長
本特許の製造方法を用いれば、高性能な積層型半導体装置を製造することが可能です。特に、電子機器や通信機器などの高性能化、省エネ化に貢献できます。
この特許は、電子部品の小型化と高性能化を実現します。MOSトランジスタの使用により、積層型半導体装置の効率と性能を向上させることが可能です。
本特許の積層型半導体装置は電力消費を抑えることが可能で、これにより電子機器のバッテリー持続時間を延長することができます。これは、スマートフォンやノートパソコンなどの携帯型電子機器にとって非常に有用です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2011-228710 |
| 発明の名称 | 積層型半導体装置及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | 特開2013-089752 |
| 登録番号 | 特許第0005956736号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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