国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な強磁性トンネル接合体技術
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な強磁性トンネル接合体技術
本特許は、トンネルバリア層の非磁性酸化物の元素構成によって強磁性トンネル接合体を特徴づける技術に関するものです。トンネルバリア層の非磁性酸化物の元素構成が様々な化合物であることを特徴とする強磁性トンネル接合体の具体的な構成が提案されています。また、この強磁性トンネル接合体を用いた磁気抵抗効果素子やスピントロニクスデバイスの開発も提案されています。これにより、より高性能な磁気デバイスや電子機器の開発が可能となります。
つまりは、トンネルバリア層の非磁性酸化物の元素構成による強磁性トンネル接合体の開発
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体業界情報通信業界
- 高性能磁気デバイスの開発
- スピントロニクスデバイスの開発
- 非磁性酸化物の新たな応用
本特許の技術を活用すれば、高性能な磁気デバイスを開発することが可能になります。特に、磁気抵抗効果を利用したデバイスの性能向上が期待できます。
本特許の技術を用いて、スピントロニクスデバイスの開発が可能になります。スピントロニクスは電子のスピンを利用した新しい電子機器の技術で、本特許の技術はその実現に大いに役立つでしょう。
本特許の技術を利用すれば、非磁性酸化物の新たな応用が可能になります。これにより、新しい材料の開発や既存の材料の性能向上につながるかもしれません。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-039582 |
| 発明の名称 | 強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2013-175615 |
| 登録番号 | 特許第0005988019号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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