国立大学法人電気通信大学
革新的な量子ドット形成方法で効率的な太陽電池を実現
国立大学法人電気通信大学
革新的な量子ドット形成方法で効率的な太陽電池を実現
本特許は、InAs量子ドットの形成方法を使用した太陽電池の製造に関するものです。具体的には、GaAsバッファ層上にInAs量子ドットを成長させる技術が提案されています。この方法により、量子ドットの面内密度が高まり、量子ドットの伝導帯および価電子帯の中に中間バンドが形成されます。これにより、太陽電池の効率が大幅に向上します。また、本特許技術は、リソグラフィやエッチングなどの加工を必要とせず、比較的簡単なプロセスで量子ドットを形成できます。これにより、製造コストを抑えつつ、高効率な太陽電池を製造することが可能となります。
つまりは、InAs量子ドットの形成方法を使用した太陽電池の製造に関する特許技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エネルギー電子部品半導体
- 太陽電池の製造プロセスの改善
- 高効率な太陽発電システムの開発
- 新素材の研究開発への応用
本特許技術を太陽電池の製造プロセスに活用することで、製造コストを抑えつつ、太陽電池の効率を大幅に向上させることが可能です。特に、量子ドットの形成プロセスを簡易化し、その結果として製造コストを下げることができます。
本特許技術を用いて開発された高効率な太陽電池を使用することで、太陽発電システム全体の効率を向上させることができます。これにより、エネルギーの効率的な利用が可能となり、環境負荷の軽減にも寄与することが期待できます。
本特許技術は、新素材の研究開発にも活用することが可能です。具体的には、量子ドットの形成方法を利用して、新たな物性を持つ物質を開発することができます。これにより、半導体素材や電子部品の開発に新たな可能性をもたらします。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-034949 |
| 発明の名称 | 量子ドットの形成方法および太陽電池 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人電気通信大学 |
| 公開番号 | 特開2013-211535 |
| 登録番号 | 特許第0006115938号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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