古河機械金属株式会社
新次元の半導体基板の製造法
古河機械金属株式会社
新次元の半導体基板の製造法
本特許は、III族窒化物半導体基板の製造法に関するもので、特定の角度と曲率を持つ半導体層を作成する方法が詳述されています。特に、第1のc軸と第2のc軸の角度を測定し、これらのc軸が同一平面上に存在しない場合、第2のc軸を第1の平面に投影した仮想第2のc軸と第1のc軸との角度を測定する手法が紹介されています。さらに、特定の曲率を持つ半導体層を作成するための算出方法も提供されています。これにより、より高品質で効率的な半導体基板の製造が可能となります。
つまりは、III族窒化物半導体基板の製造法に関する特許で、特定の角度と曲率を持つ半導体層を作成する方法が詳述されています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業マイクロエレクトロニクス
- 高品質な半導体基板の製造
- 新たな半導体デバイスの開発
- 既存の半導体製造ラインの改善
本特許の製造法を利用することで、特定の角度と曲率を持つ高品質な半導体基板を製造することが可能となります。これにより、製品の性能向上と製造コストの削減が期待できます。
本特許の製造法を用いて新たな半導体層を作成することで、新たな機能を持つ半導体デバイスを開発することが可能となります。これにより、既存の製品ラインナップの拡充と市場競争力の強化が期待できます。
本特許の製造法を既存の半導体製造ラインに取り入れることで、製造プロセスの改善と効率化が可能となります。これにより、生産性の向上と製造コストの削減が期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-088445 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2013-216538 |
| 登録番号 | 特許第0005937408号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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