国立大学法人九州工業大学
高電圧電力半導体装置の進化
国立大学法人九州工業大学
高電圧電力半導体装置の進化
本発明は、600-1200Vの範囲で使用される高電圧電力半導体装置に関するものです。特に、パワー半導体の小型化に対する課題を解決するための新たな技術を提供します。従来の半導体装置では、チップの終端部の寸法が小型化の障害となっていました。本発明では、チップの終端部にトレンチを形成し、その内部に誘電率が2.65～11.1の絶縁体を充填することで、高電圧を一定の範囲内で保持しながらも、小型化を可能にしました。また、絶縁体の誘電率を適切に調整することで、信頼性と耐久性も向上します。このような構造はパワー半導体の高性能化に寄与し、より広範な用途での利用を可能にします。
つまりは、小型化と高性能化を実現する高電圧電力半導体装置
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業自動車業界エネルギー業界
- 小型電子機器への応用
- 電気自動車のパワーシステムへの応用
- エネルギーインフラへの応用
小型化が求められるスマートフォンやウェアラブルデバイスなどの電子機器に本発明を応用することで、性能を損なうことなく小型化を進めることが可能となります。
高電圧を必要とする電気自動車のパワーシステムに本発明を応用することで、小型かつ高性能な電力装置を実現することができ、電動車の性能向上やバッテリーの効率化に寄与します。
電力供給インフラに本発明を応用することで、小型かつ高性能な電力装置を利用することができ、電力供給の安定化やエネルギーの効率的な利用に寄与します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-123461 |
| 発明の名称 | 高電圧電力用半導体装置 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 | 特開2013-251338 |
| 登録番号 | 特許第0006153151号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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