日本放送協会
革新的な半導体技術を活用した電荷密度計算
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革新的な半導体技術を活用した電荷密度計算
本特許は、半導体膜のフラットバンド条件でのフェルミ準位を計算し、それを数々の方程式に代入して電荷担体密度を算出し、その結果を活用して各種の電流値を得るための技術です。具体的には、フェルミ準位演算手段と電荷担体密度演算手段を使用し、半導体膜のホール容度、電子密度、ドナー型欠陥のディープステート、アクセプタ型欠陥のテールステートにおける密度を計算します。また、電圧とフラットバンド電圧の差を境界条件として、ポテンシャル分布を数値解析します。この技術は、半導体の設計や分析、特性評価などの領域で大いに活用できます。
つまりは、高度な数式を通じて半導体膜の電荷密度を算出する特許技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造電気通信
- 高精度な半導体設計への活用
- 半導体特性評価の精度向上
- 電子部品の信頼性テストの改善
この技術を使用することで、半導体の電荷密度を正確に計算し、その結果をもとに半導体の設計を最適化することが可能になります。これにより、より高性能な半導体製品開発が可能になり、市場競争力を強化することが期待できます。
本特許技術を活用して、半導体の電荷密度を正確に算出することで、半導体の特性評価の精度を大幅に向上させることが可能です。これにより、製品の品質を高め、顧客満足度を向上させることが可能になります。
本特許技術を利用すれば、電子部品の信頼性テストをより精確に行うことができます。具体的には、半導体の電荷密度と電流値を正確に算出することで、部品の性能を詳細に把握し、品質管理を改善することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-186015 |
| 発明の名称 | ドレイン電流のシミュレーション装置及びドレイン電流のシミュレーションプログラム |
| 出願人/権利者 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | 特開2014-045050 |
| 登録番号 | 特許第0006108519号 |
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