国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な太陽電池製造法：単結晶SiGe層の形成
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な太陽電池製造法：単結晶SiGe層の形成
この特許は、単結晶SiGe層の製造方法とそれを用いた太陽電池の製造方法に関するものです。特に、シリコン基板上に単結晶シリコン・ゲルマニウム (SiGe) 層を形成する技術に関して詳述しています。この技術は、従来のシリコン基板を利用した太陽電池の光吸収層に対して、光吸収係数が高く、光電変換効率の向上が期待されます。また、本発明により、格子定数を段階的に大きくした複数のSiGe半導体層をSi基板上に形成することが可能となります。さらに、光吸収層、半導体接合層、透明電極層などを有する太陽電池の製造も提供します。
つまりは、より効率的な太陽電池を生み出すための新たな単結晶SiGe層の製造方法。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エネルギー半導体電子機器
- 高効率太陽電池の製造
- エネルギー効率の高い電子機器の開発
- 新型太陽電池の商業化
本特許の技術を利用して、光電変換効率が高い太陽電池を製造することが可能です。これにより、既存の太陽電池よりも高いエネルギー効率を実現し、電力供給の安定化やコスト削減に寄与することができます。
本特許の技術を用いて、太陽電池を内蔵したエネルギー効率の高い電子機器を開発することができます。これにより、省エネルギー化が求められる現代社会において、ユーザーの利便性の向上とともに、地球環境の保護にも貢献できます。
本特許の技術を用いて、より効率的な新型太陽電池を製造し、市場に投入することが可能です。これにより、太陽電池市場における競争力を強化し、新たなビジネスチャンスを創出することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-198489 |
| 発明の名称 | 単結晶ＳｉＧｅ層の製造方法及びそれを用いた太陽電池 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2014-053545 |
| 登録番号 | 特許第0006004429号 |
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