特定の脳部位への磁界照射とその反応の精密な検出により、脳の活動状態を非侵襲で計測する高精度な脳機能計測装置及び方法に関する。この技術は、磁界の方向と強度を変更可能な電磁石を使用し、脳皮質部の活動状態を反映した信号を検出することで、脳の活動をより詳細に理解することを可能にする。

この特許は、大脳皮質部の活動部位を高精度に計測するための非侵襲的な脳機能計測装置及び方法に関するものです。目的は、被験者に不快感を与えることなく、高精度での計測作業を容易に行うことです。

この装置は、被験者の頭皮上に配置された磁界発生手段を使用して、大脳皮質部に磁界を照射します。この磁界は、大脳皮質部の神経細胞の活動と相互作用し、その結果として変化した磁力線が帰還します。その後、頭皮上に配置された磁界検出手段を用いて、これらの磁力線の強度を計測します。この計測により、磁界が照射された部位の神経細胞の活性状態が詳細に把握されます。

この技術の利点は、侵襲的な手法を使用せずに脳の活動を高精度で計測できる点にあります。これにより、神経科学の研究や脳機能の診断において、より正確で安全な方法を提供します。特に、脳波やfMRIなどの既存の計測手法に比べて、被験者に不快感を与えることなく、よりリアルタイムでの計測が可能になることが期待されます。

この特許内容は、脳の活動を計測する新しいアプローチを提供し、脳科学の分野において重要な進歩を意味します。医療、研究、さらには脳コンピュータインタフェースなどの分野において応用される可能性があり、非侵襲的かつ高精度な脳機能計測の新たな道を切り開くものです。