国立研究開発法人産業技術総合研究所
グラフェン膜を活用した革新的電子デバイス
国立研究開発法人産業技術総合研究所
グラフェン膜を活用した革新的電子デバイス
本特許は、絶縁膜、グラフェン膜、コンタクト電極、第2の絶縁膜、電極剥離防止層、取り出し電極を含む電子デバイスに関するものである。特に、電極とグラフェン膜との間に剥離防止層を設けることで、電極の剥離を防止する機能を持つ。これにより、グラフェン膜の高い導電性と光透過率を活用し、耐久性と信頼性を高めた電子デバイスの製造が可能となる。さらに、高いスループットで大面積の成膜が可能なため、大量生産にも対応できる。
つまりは、高い導電性と光透過率を持つグラフェン膜を使用した電子デバイスの開発
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体業界研究開発
- 高性能電子デバイスの開発
- 透明電極の製造
- プラスチック基板上での電子デバイス製造
本特許の技術を活用して、グラフェン膜の高い導電性と光透過率を活用した高性能な電子デバイスを開発することが可能です。特に、電極剥離防止機能により、製品の耐久性と信頼性が向上します。
グラフェン膜は高い光透過率を持つため、透明電極の製造に活用することができます。これにより、高品質なディスプレイやタッチパネルなどの製造が可能になります。
マイクロ波表面波プラズマCVD法により、低温かつ短時間でグラフェン膜を成膜することが可能なため、耐熱性が低いプラスチックなどの基板上での電子デバイスの製造が期待できます。これにより、様々な素材上に電子デバイスを作製することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-234901 |
| 発明の名称 | グラフェン膜の電極接続構造 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2014-086592 |
| 登録番号 | 特許第0006052730号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です