高知県公立大学法人
革新的な酸化物薄膜トランジスタの製造方法
高知県公立大学法人
革新的な酸化物薄膜トランジスタの製造方法
本特許は、オゾンを導入しながら金属酸化物絶縁体からなるゲート絶縁膜と、金属酸化物半導体からなるチャネル層を形成する酸化物薄膜トランジスタの製造方法を提供します。特に、金属化合物を溶解した霧化された原料溶液を基板近傍で化学反応させることにより、ゲート絶縁膜とチャネル層が形成されます。この方法は、亜鉛を含む金属酸化物半導体や、アセチルアセトナート化合物、酢酸化合物、塩化物、硫化物、硝酸化合物、アンモニウム化合物、炭酸化合物等の金属化合物を用いることが可能です。また、特殊な構造の成膜室を利用し、基板表面と成膜室の内壁との距離や原料ガスの速度を制御することで、高品質な薄膜の生成が可能です。
つまりは、オゾン導入と特殊な化学反応を用いた酸化物薄膜トランジスタの製造法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子工学化学工業
- 次世代の電子デバイス開発
- 高効率の製造プロセス開発
- エコフレンドリーな製造プロセスの実現
高品質な酸化物薄膜トランジスタの製造法として、本特許は次世代の電子デバイス開発に活用できます。特に、高性能な半導体素子の開発において有用です。
本特許の製造法は、製造効率を高める可能性があります。特に、成膜室の特殊な構造を利用することで、基板表面に高品質な薄膜を効率良く生成することができます。
本特許の製造法は、アセチルアセトナート化合物、酢酸化合物、塩化物、硫化物、硝酸化合物、アンモニウム化合物、炭酸化合物等の化合物を使用するため、より環境に優しい製造プロセスの開発につながる可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-023862 |
| 発明の名称 | オゾン支援による高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、及び、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 高知県公立大学法人 |
| 公開番号 | 特開2014-154734 |
| 登録番号 | 特許第0006103633号 |
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- ライセンス
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