古河機械金属株式会社
高品質なIII族窒化物半導体基板を実現する新たな製造方法
古河機械金属株式会社
高品質なIII族窒化物半導体基板を実現する新たな製造方法
本特許では、異種基板とIII族窒化物層との線膨張係数差に起因する応力を利用して分離する新たな方法を提案します。炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウム、炭化タンタルから選択される炭化物層を基材層上に形成し、その後炭化物層を窒化します。その上にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させ、その後高温で熱処理を行い、基材層とIII族窒化物半導体層とを剥離します。これにより、高品質なIII族窒化物半導体の下地基板を得ることができます。この製造方法を用いれば、生産性の向上と品質安定化が期待できます。
つまりは、本特許は、III族窒化物半導体の下地基板の製造方法に関するもので、生産性と品質の向上を図ることが可能。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業光通信業
- 高品質な半導体基板の製造
- 新たな半導体素材の開発
- 高品質な電子デバイスの製造
本特許の製造方法を用いることで、一貫して高品質なIII族窒化物半導体基板を製造することが可能となります。これにより、製品の品質のばらつきを減らし、生産性を向上させることができます。
本特許の製造方法は、新たなIII族窒化物半導体素材の開発にも活用できます。独自の基材層と窒化物層の組み合わせにより、新たな性質を持つ半導体を開発することが可能となります。
本特許の製造方法により製造された高品質なIII族窒化物半導体基板を使用することで、高性能な電子デバイスを製造することが可能となります。これにより、顧客満足度の向上や製品価値の向上を図ることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-079566 |
| 発明の名称 | 下地基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2014-201491 |
| 登録番号 | 特許第0006144525号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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