古河機械金属株式会社
革新的な半導体基板製造技術
古河機械金属株式会社
革新的な半導体基板製造技術
本特許は、III族窒化物半導体基板の製造方法に関するもので、熱処理を積層体に適用し、前述の積層体をIII族元素の液体に浸漬させるという製造工程を含んでいます。この過程は、積層体の固着力を低減し、特定の半導体層から基材層が剥離することを可能にします。さらに、III族窒化物半導体層のエピタキシャル成長を行う前に、厚さ600m以下であるIII族窒化物半導体層を形成します。また、熱処理を行う際には、複数の積層体を用意し、これらを容器に収容します。最終的に、これらの積層体を容器内のIII族元素の液体に浸漬させます。これにより、先進的なIII族窒化物半導体基板を効率的に製造することが可能となります。
つまりは、III族窒化物半導体基板の製造方法に関する特許。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造研究開発
- 高性能な半導体の製造
- 研究開発の進展
- 生産効率の向上
本特許の技術を用いて、高品質かつ効率的にIII族窒化物半導体基板を製造することが可能です。これにより、高性能な電子デバイスや光デバイスの製造に役立ちます。
この特許の技術は、III族窒化物半導体の特性を理解し、改善するための研究開発にも活用できます。新たな半導体材料の開発や、既存の製造プロセスの改善に役立つ可能性があります。
この特許の技術は、半導体製造のプロセスを効率化することが可能です。特に、III族窒化物半導体基板の製造工程での熱処理プロセスを最適化し、生産効率を向上させることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-079577 |
| 発明の名称 | 下地基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2014-201493 |
| 登録番号 | 特許第0006091969号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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