国立大学法人茨城大学
高集積度半導体装置の製造を助ける特許
国立大学法人茨城大学
高集積度半導体装置の製造を助ける特許
この特許は、配線幅が100nm以下の高集積度半導体集積回路装置及びその製造方法について述べています。特に、鋼配線層の平均結晶粒径を大きくすることで、低抵抗率銅配線を製造することが可能とされています。具体的には、アニール（加熱）処理や水素プラズマ溶解精製などの方法が提案されています。また、鋼配線の結草粒界に存在する金属元素、塩素（C1）及び酸素（O〇）からなる化合物に含まれる不純物の濃度を測定することで、その塩素濃度が2原子%以下であるときの鋼配線を前記半導体集積回路装置に適用することを特徴としています。この特許によれば、鋼配線の結晶粒径や不純物の濃度を適切に調整することで、高集積度半導体装置の製造が効率化されるとされています。
つまりは、本特許は鋼配線層の結晶粒径を調整し、低抵抗率銅配線を製造する半導体集積回路装置及びその製造方法に関するものです。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造情報技術
- 高集積度半導体装置の生産効率向上
- 高品質な半導体製品の製造
- 半導体製造プロセスの最適化
この特許を活用することで、高集積度半導体装置の生産効率を向上させることが可能です。具体的には、鋼配線の結晶粒径や不純物の濃度を適切に調整することで、低抵抗率銅配線の製造を効率化し、半導体装置の性能を向上させることが可能です。
この特許の技術を用いることで、高品質な半導体製品の製造が可能となります。特に、高集積度半導体装置の製造において、鋼配線の結晶粒径や不純物の濃度を適切に調節することで、製品の信頼性と性能を向上させることができます。
本特許は、半導体製造プロセスの最適化にも役立ちます。具体的には、鋼配線の結晶粒径や不純物の濃度を調整することで、製造プロセスの効率化を図ることができます。これにより生産コストを抑制しつつ、製品の品質を維持・向上させることが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-101708 |
| 発明の名称 | 半導体集積回路装置及びその製造方法、並びに該半導体集積回路装置に使用する低抵抗率銅配線の探索方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人茨城大学 |
| 公開番号 | 特開2014-222715 |
| 登録番号 | 特許第0006080009号 |
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