学校法人関西学院
信頼性向上を実現するS iC基板の表面処理方法
学校法人関西学院
信頼性向上を実現するS iC基板の表面処理方法
本特許は、S iC基板の表面処理方法に関するもので、エッチング速度を調節する工程、特定の温度範囲での加熱工程、基板の表面特性に応じた加熱条件の設定等を特徴とします。特に、基板の表面がS iC分子の積層方向の1周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端していることを特徴とする表面処理方法が提供されます。これにより、半導体素子の利用分野が急速に拡大する中で、高温環境等の過酷な条件下で使用される機会も増加する半導体素子の信頼性を向上させることが可能です。
つまりは、高温環境に対応し、半導体素子の信頼性を向上させるS iC基板の表面処理方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子機器製造自動車製造
- 高温環境での半導体素子の信頼性向上
- 次世代半導体素子の開発
- 高品質な半導体製品の製造
本特許の表面処理方法を用いることで、高温環境で使用する半導体素子の信頼性を向上させることが可能です。これにより、自動車や産業機器などの高温環境で使用する電子機器の品質を向上させることができます。
SiCは高温、高周波、高電圧、及び厳しい環境に対応可能な半導体素子として期待されています。本特許の表面処理方法を用いることで、これらの性能を最大限に引き出す次世代の半導体素子の開発が可能になります。
本特許の表面処理方法は、表面処理後の基板の品質を向上させます。これにより、半導体製品の品質を一貫して保つことができ、製品の信頼性を向上させることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-125020 |
| 発明の名称 | ＳｉＣ基板の表面処理方法 |
| 出願人/権利者 | 学校法人関西学院 |
| 公開番号 | 特開2015-002218 |
| 登録番号 | 特許第0006080075号 |
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- 譲渡
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