国立大学法人東北大学
高速で半導体を洗浄！一成分極低温微細固体粒子連続生成装置
国立大学法人東北大学
高速で半導体を洗浄！一成分極低温微細固体粒子連続生成装置
本発明は、半導体の洗浄に用いる一成分極低温微細固体粒子を連続生成する装置およびその方法に関する。特に、高価で入手が難しいヘリウムガスを使用せずに、水素、酸素、アルゴンなどの過冷却液体と同一の元素で構成される極低温気体を用いて、一成分極低温微細固体粒子を連続生産することができる。この装置は、混合部とラバルノズル部を有し、混合部で過冷却液体と極低温気体の高速流を混合して一成分混相流を生成し、ラバルノズル部で混相流を導入し、音速を超えた状態で断熱膨張させて噴霧流を生成する。これにより、一成分極低温微細固体粒子を含む噴霧流を連続して生成することが可能となる。
つまりは、ヘリウムガスを使用せず、一成分で極低温の微細固体粒子を連続して生成する装置とその方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業ナノテクノロジー清掃業
- 高速半導体洗浄
- エッチングプロセスの最適化
- 清掃業への応用
本装置は半導体製造プロセスにおける洗浄工程で活用可能。従来のウェット洗浄プロセスに比べて洗浄速度が高く、より効率的な製造プロセスを実現することができる。
ナノレベルでの精密さが求められるエッチングプロセスにおいて、一成分極低温微細固体粒子を活用することで、より精度の高いエッチングが可能となり、製品の品質向上に寄与する。
本装置を清掃業に応用し、特に困難な汚れや微細な汚染物質を除去するのに用いることができる。これにより、より高度な清掃サービスを提供することが可能となる。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-125074 |
| 発明の名称 | 一成分極低温微細固体粒子連続生成装置、および、その一成分極低温微細固体粒子連続生成方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 | 特開2015-002221 |
| 登録番号 | 特許第0006153110号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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