大陽日酸株式会社
フッ素フリーで高純度の金属薄膜を製造する新規製膜方法
大陽日酸株式会社
フッ素フリーで高純度の金属薄膜を製造する新規製膜方法
本発明は、化学反応を用いた薄膜堆積法によって基板の表面に金属薄膜を製膜する方法を提供します。この製膜方法は、基板を350-400℃の範囲で加熱し、所定のフッ素フリーのタングステン膜の原料を用いて形成した金属窒化膜について、水素雰囲気下で加熱することにより窒素原子を除去することができます。この方法は、従来のスパッタリング製膜手法が段差被覆性に劣るという問題を解決します。また、フッ素によって基板に損傷を与えることなく、高純度の金属薄膜を得ることが可能です。
つまりは、基板に損傷を与えず、高純度の金属薄膜を得ることが可能な金属薄膜の製膜方法が提供されます。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業化学産業材料科学
- 高純度の金属薄膜の製造
- 環境負荷の低減
- 新材料の開発
本特許により、フッ素による損傷を避けながら、高純度の金属薄膜を製造することができます。これにより、半導体デバイスの製造工程で用いられる金属薄膜の品質を改善し、デバイスの性能を向上させることが可能になります。
本特許の製膜方法はフッ素フリーであるため、製造過程での環境負荷が低減します。これにより、企業の環境負荷を考慮した製品開発に貢献することができます。
本特許の製膜方法は、新たな金属薄膜の製造方法を提供します。これにより、新たな性能を持つ材料の開発に寄与することができ、新しい技術や製品の開発を推進することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-151105 |
| 発明の名称 | 金属薄膜の製膜方法 |
| 出願人/権利者 | 大陽日酸株式会社 |
| 公開番号 | 特開2015-021175 |
| 登録番号 | 特許第0006116425号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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