国立大学法人鳥取大学
革新的な導電性ブリッジメモリ装置の生産方法への突破口
国立大学法人鳥取大学
革新的な導電性ブリッジメモリ装置の生産方法への突破口
本特許は、電子デバイスのメモリ技術における新たな製造方法を提供します。具体的には、電気化学的に活性でイオン化し易い第1の金属上にメモリ層となる多孔質膜体を形成し、その上に非極性から強極性の有機溶媒、酸・塩基・塩類の水溶液またはイオン液体を滴下または塗布します。その後、多孔質膜体内にこれらの液体を吸収させ、多孔質膜体上に電気化学的に安定な第2の金属を形成します。この製造方法を特徴とする導電性ブリッジメモリ装置は、高速・高集積・低消費電力といった優れた特性を持つことから、微細化限界に直面する現行のフラッシュメモリの代替となる可能性があります。
つまりは、電気化学的に活性な金属上にメモリ層となる多孔質膜体を形成し、その上に電気化学的に安定な金属を形成する製造方法。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業情報通信業データセンター業界
- 高性能なメモリデバイスの開発
- データセンターの効率化
- IoTデバイスへの応用
本特許の技術は、高速・高集積・低消費電力のメモリデバイスの開発に活用することが可能です。これにより、次世代のパソコンやスマートフォン、サーバーなどの電子機器の性能向上に寄与することが期待されます。
データセンターは大量のデータを高速に処理する必要がありますが、本特許の技術を用いて製造されたメモリは高速・高集積・低消費電力という特性を持つため、データセンターの運用効率を大幅に向上させることが可能です。
IoTデバイスは、低消費電力で高速なメモリが求められます。本特許の製造方法によるメモリはその要求を満たすため、IoTデバイスのパフォーマンス向上に寄与することが期待されます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-178124 |
| 発明の名称 | 導電性ブリッジメモリ装置及び同装置の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人鳥取大学 |
| 公開番号 | 特開2015-046548 |
| 登録番号 | 特許第0006195155号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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