国立研究開発法人産業技術総合研究所
高速・高信頼性の三端子型不揮発性記憶素子
国立研究開発法人産業技術総合研究所
高速・高信頼性の三端子型不揮発性記憶素子
本特許は、半導体基板上に形成された半導体領域間の表面に金属元素、酸素、半導体が化学結合された層、金属元素以外の金属元素を含む絶縁膜、金属電極を積層することで構成された電界効果型トランジスタ構造を備えた三端子型の不揮発性記憶素子を提供します。ゲート電極に与える電気信号により半導体基板と絶緑膜との間に誘起される界面ダイポールの強度を変化させることで情報を記憶します。これにより、NAND型フラッシュデバイスの微細化の物理的限界を克服し、高集積・大容量化が可能な新たな不揮発性記憶素子を実現します。また、書き換え耐性が高く、読み出し・書き込み速度も向上し、信頼性の高い情報記憶装置を提供します。
つまりは、界面ダイポールの強度を変化させることで情報を記憶する新型不揮発性記憶素子
AIによる特許活用案
おすすめ業界 IT電子機器製造半導体製造
- 高性能な情報記憶装置の開発
- 新しい半導体製造技術の開発
- 情報記憶装置の信頼性向上
高集積・大容量化が可能で、書き換え耐性が高く、読み出し・書き込み速度も向上した情報記憶装置を開発することが可能です。これにより、携帯端末等の情報機器に組み込まれる情報記憶装置の性能を向上させ、ユーザーエクスペリエンスを向上させることができます。
本特許は、新たな製造技術を必要としない新素材を使用した不揮発性記憶素子を提供します。これにより、新たな製造技術の開発や専用の製造設備の導入を必要とするPCMやFeFETのような従来の不揮発性記憶素子の問題を解決することができます。
本特許に基づく不揮発性記憶素子は、信頼性が高く、書き換え耐性があり、読み出し・書き込み速度も高いため、情報記憶装置の信頼性を向上させることができます。これにより、情報機器の信頼性を向上させ、広範な用途への普及を実現することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-192920 |
| 発明の名称 | 不揮発性記憶素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2015-060911 |
| 登録番号 | 特許第0006145756号 |
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