国立研究開発法人産業技術総合研究所
高品質で大面積の単結晶ダイヤモンドウェハの製造
国立研究開発法人産業技術総合研究所
高品質で大面積の単結晶ダイヤモンドウェハの製造
本発明は、半導体材料として期待されている単結晶ダイヤモンドの製造方法に関する。大面積の均質な単結晶ダイヤモンドからなるウェハが必要であり、本発明では、その製造方法について詳細に説明している。具体的には、基板上に単結晶ダイヤモンドを成長させる方法を提供し、この方法は高品質のダイヤモンドの合成に適用可能である。しかし、気相法によるダイヤモンドのエピタキシャル成長においては、多数の異常成長粒子や成長丘などの欠陥が発生し易く、大面積の単結晶ダイヤモンドの合成は容易ではないという課題がある。本発明では、これらの課題を解決するための具体的な製造方法を提供している。
つまりは、本特許は、結晶学的性質とオフ角を考慮した単結晶ダイヤモンドの製造方法に関するものである。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子部品製造業材料科学研究
- 高品質半導体素材の提供
- ダイヤモンドウェハの大量生産
- 異常成長粒子の抑制
本特許の技術を利用することで、より高品質な単結晶ダイヤモンドウェハを製造することが可能となる。これにより、高性能な半導体デバイスの開発に寄与することができる。
本特許の技術を活用すれば、大面積の単結晶ダイヤモンドウェハの製造が容易になる。これにより、ダイヤモンドウェハの大量生産が可能となり、製造コストの削減に繋がる。
本特許では、異常成長粒子の発生を抑制する方法についても詳細に説明している。これにより、製造過程での品質管理が容易になり、より高品質なダイヤモンドウェハの製造が可能となる。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-205146 |
| 発明の名称 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2015-067516 |
| 登録番号 | 特許第0006312236号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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