国立研究開発法人産業技術総合研究所
大面積の単結晶ダイヤモンド基板の製造への革新的なアプローチ
国立研究開発法人産業技術総合研究所
大面積の単結晶ダイヤモンド基板の製造への革新的なアプローチ
本特許は単結晶ダイヤモンド基板の製造法について詳述しています。この製造法は、種基板のオフ方向と種基板の生線との成す角度が90度未満であること、そして、種基板の稼線が20mmを超えることを特徴としています。これは、半導体デバイス用の材料として期待されているダイヤモンドの製造を容易にするためのものです。従来の製造法では、大面積の均質な単結晶ダイヤモンドからなるウェハーの製造が困難でした。しかし、本特許の手法では、気相成長法によりダイヤモンドの結晶成長を促進し、大面積の単結晶ダイヤモンドを製造することが可能になります。
つまりは、本特許は、単結晶ダイヤモンド種基板の製造方法について述べています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業高度素材業
- 大面積の単結晶ダイヤモンド基板の大量生産
- 半導体デバイスの性能向上
- 新素材の開発
従来は面積の制限があった単結晶ダイヤモンド基板の製造が、本特許により可能になります。これにより、より大量の単結晶ダイヤモンド基板の生産が可能となり、生産効率が向上します。
本特許の製造法を用いることで、より品質の高い単結晶ダイヤモンド基板を製造できます。これにより、半導体デバイスの性能を向上させることが可能となります。
本特許の製造法は、単結晶ダイヤモンドを用いた新たな素材の開発にも応用可能です。これにより、新たな産業用途や商品開発の可能性を広げることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-205154 |
| 発明の名称 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2015-067517 |
| 登録番号 | 特許第0006274492号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です