国立研究開発法人産業技術総合研究所
省エネルギーで低コスト!新時代の炭素系皮膜形成装置

国立研究開発法人産業技術総合研究所
省エネルギーで低コスト!新時代の炭素系皮膜形成装置
この特許は、炭素系皮膜の形成方法および装置に関するもので、従来のCVD法やPVD法などの高エネルギーかつ高コストのプロセスを用いずに、炭化水素系ガスを容器内に存在させた状態で、粒状体を金属体の表面に衝突させるだけの簡単な操作で炭素系皮膜を形成する技術に関するものです。この方法では、省エネルギーで低コストな炭素系皮膜を形成でき、装置の初期コストだけでなくランニングコストも抑えられます。ボールインパクト法を利用して、コーティング膜を短時間で形成することが可能で、このプロセスは常温・常圧・空気中で行われ、エネルギー消費とコストが非常に低いのが特長です。
つまりは、高エネルギーと高コストを必要としない新しい炭素系皮膜の形成装置を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 機械工学化学工業材料工学
- 機械部品の表面強化
- 省エネルギー化への対応
- 環境負荷の低減
炭素系皮膜は非常に硬く、耐摩耗性が高い特性を持つため、機械部品の表面強化に使用することができます。この新しい形成装置を用いれば、省エネルギーかつ低コストで部品の耐久性を向上させることができます。
積極的に省エネルギー化を進めている企業にとって、この新しい炭素系皮膜の形成装置は大きなメリットをもたらします。高エネルギーを必要とする従来のプロセスに比べ、大幅なコスト削減とともにエネルギーコンシューマーとしての責務を果たすことができます。
一般的に、製造プロセスのエネルギー消費量は、その製品の環境負荷を大きく左右します。この省エネルギーで低コストの炭素系皮膜の形成装置は、製品の環境負荷を低減するための有力なツールとなり得ます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
出願番号 | 特願2013-200739 |
発明の名称 | 炭素系皮膜の形成方法、及び、形成装置 |
出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 | 特開2015-067842 |
登録番号 | 特許第0006103644号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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