古河機械金属株式会社
革新的なII族窒化物半導体自立基板の製造技術
古河機械金属株式会社
革新的なII族窒化物半導体自立基板の製造技術
この特許は、半導体の膜厚に焦点を当て、特にII族窒化物半導体自立基板の製造を改善するための技術を提供します。この製造方法では、積層膜の全体の膜厚よりも厚いII族窒化物半導体層を使用します。さらに、半導体層はアンドープ半導体層または一定のn型不純物を含む層で構成されます。第1および第2の半導体層の膜厚は、それぞれの層が前記積層膜全体の膜厚よりも厚くなるように管理されます。そして、これらの半導体層は、HVPEやMOVPEなどの技術を用いて形成されます。さらに、各半導体層の厚さは50nm以上であり、積層のサイクルは10回以上繰り返される。シリコンのドープも可能で、積層体の加工前に積層膜の一部または全体が取り除かれます。
つまりは、積層膜の膜厚を管理し、純度の高いII族窒化物半導体自立基板を製造する方法。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業研究開発
- 高品質な半導体製造
- 研究開発への応用
- 既存製造プロセスの最適化
高品質な半導体の製造を目指す企業は、この特許の技術を活用して、厚みを調整した半導体層を使用することで製品の品質と性能を向上させることができます。
半導体技術の研究開発に従事する組織は、この技術を用いて新たな半導体の設計や製造プロセスの開発を行うことで、さらに進歩した半導体技術の開発を推進することができます。
この特許の技術を活用することで、半導体製造業者は既存の製造プロセスを最適化し、生産効率を向上させることができます。これにより、製品の品質を保ちつつ、生産コストを抑えることが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-236527 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2015-096453 |
| 登録番号 | 特許第0006224424号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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