古河機械金属株式会社
反りを低減した自立基板の製造方法

古河機械金属株式会社
反りを低減した自立基板の製造方法
本特許は、反りを低減した自立基板の製造方法について述べています。具体的には、窒化物半導体からなる下地基板を準備し、該下地基板上に炭素を不純物として導入しながら第1の窒化物半導体層を形成します。そして、第1の窒化物半導体層の上に、厚さが50m以上である第2の窒化物半導体層を形成します。この工程において、第1の窒化物半導体層に含有される炭素の濃度が、下地基板から厚み方向に遠ざかるにつれて連続的に高くなるように形成します。これにより、反りを低減した自立基板を効率的に製造することが可能となります。
つまりは、本発明は、反りを低減した自立基板を科便な工程で提供する製造方法に関するものです。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造エレクトロニクス材料科学
- 高品質な半導体素材の生産
- 半導体製造プロセスの効率化
- エレクトロニクス製品のパフォーマンス向上
この製造方法を用いることで、反りが低減された高品質な自立基板を効率的に作ることができます。これにより、製品の信頼性と耐久性を高めることができ、製品の価値を向上させます。
この製造方法は、自立基板の製造プロセスを効率化します。特に、炭素の濃度を連続的に高くすることで、基板の反りを低減することが可能となります。これにより、製造時間を短縮し、生産コストを削減することができます。
反りが低減された自立基板を用いることで、エレクトロニクス製品のパフォーマンスを向上させることができます。具体的には、基板の品質が向上することで、製品の信頼性が高まり、長期的に安定した性能を発揮することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
出願番号 | 特願2013-238738 |
発明の名称 | 自立基板の製造方法および自立基板 |
出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
公開番号 | 特開2015-098413 |
登録番号 | 特許第0006250368号 |
- サブスク
- 譲渡
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