国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能な薄膜トランジスタの新時代
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能な薄膜トランジスタの新時代
この新たな薄膜トランジスタの技術は、ソース・ドレイン電極と金属酸化物の半導体層の間にアルミニウム元素及びまたはタンタル元素を含む金属酸化物のバリア層を挿入することで、接触抵抗を低減し、高い飽和移動度及び小さなサブスレッショルド電圧の高性能なトランジスタ特性を得ることが可能となります。これにより、半導体層とソース・ドレイン電極との間の接触抵抗が高くなる問題や、半導体特性が消減して導体特性へと移行する問題を解決します。また、プロセスが複雑になるという問題も解決します。これにより、電子デバイスの性能向上と製造プロセスの簡素化が実現可能となります。
つまりは、アルミニウム元素及びタンタル元素を含む金属酸化物のバリア層を挿入した薄膜トランジスタ
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子デバイス製造業ディスプレイ製造業
- 低消費電力ディスプレイの開発
- より薄型で軽量な電子デバイスの製造
- 高速化されたデータ通信の実現
この薄膜トランジスタの技術は、低消費電力かつ高画質なディスプレイの開発に活用されることが期待されます。接触抵抗の低減と高い飽和移動度により、ディスプレイの画質向上と消費電力の低減が可能となります。
この技術を利用することで、薄型かつ軽量な電子デバイスの製造が可能となります。薄膜トランジスタの高性能化により、デバイス自体のサイズを小さくすることが可能となり、ポータブルデバイスの進化に寄与します。
高い飽和移動度を持つこの薄膜トランジスタは、高速なデータ通信を実現する電子デバイスの開発にも利用できます。これにより、次世代の高速通信技術の開発を支えることが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-243413 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2015-103677 |
| 登録番号 | 特許第0006327548号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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