国立研究開発法人物質・材料研究機構
進化する薄膜トランジスタ: 高精度なディスプレイに革新をもたらす
国立研究開発法人物質・材料研究機構
進化する薄膜トランジスタ: 高精度なディスプレイに革新をもたらす
特許JP 6252903 B2は、薄膜トランジスタおよびその製造方法について述べています。層が非晶質であり、層の厚さが5nm以上かつ20nm以下であることが特徴的です。さらに、特定の金属酸化物を選択的に使用し、その含有量も0より大きく50重量%以下または5重量%以下であることが求められます。層の形成においても、特定の範囲内で操作されます。この発明により、薄膜トランジスタの特性が向上し、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として有効に利用できます。また、消費電力の低減も可能となります。
つまりは、本発明は、特性向上を追求した薄膜トランジスタ製造方法に関して、特に層の厚さや金属酸化物の含有量に注目しています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エレクトロニクスディスプレイ製造テレビ・映像機器製造
- 高精細ディスプレイの開発
- 電力消費の効率化
- 電子デバイスの小型化と軽量化
本発明の薄膜トランジスタは、その特性向上と消費電力の低減から、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイの開発に活用することができます。
金属酸化物を形成材料とする半導体層により、off電流がきわめて小さくなるため、消費電力を低減できます。これにより、電力消費を節約しながら高性能なディスプレイを提供することが可能となります。
本発明の薄膜トランジスタは、層の厚さが極めて薄いため、デバイス全体の小型化と軽量化を実現することが可能です。これにより、ポータブルデバイスやウェアラブルデバイスの開発に貢献できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-016273 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2015-144154 |
| 登録番号 | 特許第0006252903号 |
- サブスク
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