国立研究開発法人物質・材料研究機構
先進的な酸化物半導体技術
国立研究開発法人物質・材料研究機構
先進的な酸化物半導体技術
本特許は、特定の金属（ケイ素、タングステン、タンタル、ランタン、ハフニウム）から選択された酸化物を含む酸化物半導体に関するもので、これを利用した半導体装置やその製造方法についても詳述しています。また、酸化物半導体の厚さや成分の含有量についても詳細に規定されており、その厳密な設計により、高品質で安定した性能を発揮します。酸化物半導体は非卓質であり、その結果として優れた電子キャリア生成能力を有しています。また、特定の酸化物半導体は酸素欠損を導入することにより電子キャリアを生成できるとされており、これによりより効率的な電子運動を実現しています。
つまりは、独自製造方法による電子キャリア生成可能な金属酸化物
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業半導体業界電気通信業
- 高性能半導体の製造
- 高効率な電子キャリア生成
- 半導体製造技術の進化
本技術を用いることで、電子キャリアの生成が可能な金属酸化物を含む高性能な酸化物半導体を製造することができます。これにより、より高度な電子機器の製造が可能となります。
本技術により、酸素欠損を導入することで電子キャリアを生成することが可能となります。これにより、電子運動の効率を向上させ、エネルギー消費を抑えることができます。
本技術は、特定の金属から選択された酸化物を含む酸化物半導体の製造方法を提供します。これにより、半導体製造技術の進化を促進し、新たな半導体製品の開発を支援します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-016631 |
| 発明の名称 | 酸化物半導体およびその製法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2015-144172 |
| 登録番号 | 特許第0006252904号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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