国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精細でエネルギー効率の良い薄膜トランジスタ
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精細でエネルギー効率の良い薄膜トランジスタ
当該特許は、半導体層の一部の膜厚が60nm以下、または30nm以下となるような薄膜トランジスタに関して述べています。また、半導体層がインジウム (In) 、ガリウム (Ga) 、亜鉛 (Zn) から選ばれた金属酸化物を含むこと、さらにジルコニウム (Zr)、チタン (Ti) 、タングステン、タンタル (Ta) 、ハフニウム (Hf) 、スカンジウム (Sc) 、イットリウム (Y) 、ランタン (La)、プラセオジム (Pr)、ネオジム (Nd) 、ガドリニウム (Gd) 、アルミニウム (Al) 、ボロン (B) および炭素 (C) から選ばれた元素をさらに含むことにより、高性能な薄膜トランジスタが得られます。さらに、ソース電極およびドレイン電極のうち少なくとも一方と半導体層との界面が3次元構造を有するように形成することで、高いチャネル移動度と低い消費電力を実現しています。
つまりは、金属酸化物を用いた高性能な薄膜トランジスタを提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体産業ディスプレイ製造業
- 高精度ディスプレイの開発
- エネルギー効率の良い電子機器の開発
- ハイパフォーマンスな半導体装置の製造
当該特許の薄膜トランジスタは、その高いチャネル移動度と低い消費電力から、高精細なディスプレイや大画面のディスプレイのスイッチング素子として活用できます。
金属酸化物を形成材料とする半導体層は、原理上p型伝導を示さないため、off電流が極めて小さくなり、エネルギー効率の良い電子機器の開発に貢献します。
基板と、基板に設けられた当該特許の薄膜トランジスタを組み合わせることで、ハイパフォーマンスな半導体装置を製造することが可能です。これにより、より高性能な電子機器の製造が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-016635 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2015-144176 |
| 登録番号 | 特許第0006308583号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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