古河機械金属株式会社
革新的な半導体製造技術、III族窒化物半導体層の生産
古河機械金属株式会社
革新的な半導体製造技術、III族窒化物半導体層の生産
本特許は、下地基板に存在する転位と繋がる縦長ピットを複数形成する新しい製造方法を提供します。この方法では、下地基板の厚さ方向に伸びる縦長ピットが形成され、III族窒化物半導体が成長させられます。特に重要なのは、縦長ピットの一部分が空洞として残されることで、これにより、半導体層の品質が大幅に向上します。また、縦長ピットの開口の直径は100nmから1000nmの範囲に制限されています。この発明は、半導体製造工程における欠陥の低減と品質向上に寄与する可能性があります。
つまりは、高品質なIII族窒化物半導体層を製造するための革新的な方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造マイクロエレクトロニクス
- 高品質半導体層の製造
- 品質向上による製品価値の向上
- 製造コストの削減
この特許の技術を利用して、高品質なIII族窒化物半導体層を製造することができます。これにより、より効率的な電子機器の生産が可能になります。
この技術を使用することで、製造される半導体層の品質が向上します。これにより、製品の価値が向上し、企業の利益を増加させる可能性があります。
この技術は、半導体層の製造過程での欠陥を減少させるため、修正やリワークの必要性を減らします。これは製造コストの削減につながり、全体的な生産効率を向上させる可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-029758 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体層およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2015-151330 |
| 登録番号 | 特許第0006315665号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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