古河機械金属株式会社
革新的な半導体製造技術の新たな一歩
古河機械金属株式会社
革新的な半導体製造技術の新たな一歩
この発明は、半導体製造の新たな手法を提供します。具体的には、三次元的なファセット面を有するピットを結晶成長面に形成し、そのピットが存在する状態を維持しながら単結晶GaNを結晶成長させる方法を提供します。この製造方法を用いると、結晶欠陥を低減でき、高品質なIII族窒化物半導体層を製造することが可能になります。この製造方法は、従来の方法に比べて生産効率が向上し、単結晶GaN膜上におけるデバイスを形成できる面積が大きくなります。これにより、半導体製造業界の生産性と製品品質の向上に貢献します。
つまりは、高品質なIII族窒化物半導体層を製造する効率的な方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業研究開発業
- 高品質な半導体製造
- 生産効率の向上
- 新製品の開発
この発明を活用して、高品質なIII族窒化物半導体層を製造することができます。この製造方法により、結晶欠陥の低減と高品質な半導体製造が可能になり、製品の信頼性と性能を向上させることができます。
従来の半導体製造方法に比べて、この発明の製造方法は生産効率を大幅に向上させます。特に、単結晶GaN膜上に形成できるデバイスの面積が大きくなるため、生産ラインの効率化が期待できます。
この発明の製造方法を用いて、新たなIII族窒化物半導体を開発することができます。これにより、新たな半導体製品の市場開拓と、企業の競争力強化に貢献することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-029761 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2015-151626 |
| 登録番号 | 特許第0006349101号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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